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英飛凌科技公司推出650伏碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管
2020-02-19

[據美國化合物半導體網站2月17日報道]近日,英飛凌科技公司推出了最新的650伏碳化硅金屬-氧化物半導體場效應晶體管(650V CoolSiC™ MOSFET),有望解決服務器、電信及工業系統開關電源、太陽能系統、電池組、不間斷電源、電機驅動以及電動汽車充電等領域對能源效率、功率密度和魯棒性的需求。

英飛凌科技公司電源管理和市場部門資深總監Steffen Metzger說:“通過此次發布會,英飛凌擴充了其在600伏/ 650伏領域中硅、碳化硅和氮化鎵基功率半導體產品組合,使得英飛凌成為了唯一一家可以為這三種電力技術提供服務的制造商。這不僅突顯了英飛凌在市場上的獨特地位,還使英飛凌成為了工業SiC MOSFET開關的第一大供應商!

新推出的650V CoolSiC™ MOSFET 器件基于英飛凌先進的溝槽半導體技術,并采用經典的TO-247 3引腳及4引腳封裝技術,最大限度的利用了碳化硅材料的物理特性,具有可靠性高、跨導增益高、開關及傳導損耗低、短路魯棒性強等特點,其導通電阻范圍為27~107毫歐姆,閾值電壓高達4伏。

與其他硅和碳化硅解決方案相比,新推出的650V CoolSiC™ MOSFET 器件具有許多優點,如高頻率和高可靠性的開關效率。由于低開態電阻依賴于溫度,器件具有良好的熱性能。該器件比超結6CoolSiC™ MOSFET少約80%體二極管,這些體二極管可以保持水平反向恢復電荷。魯棒性有助于非常容易地實現98%的整體系統效率。

為簡化使用650V CoolSiC™ MOSFET的應用程序設計,并確保設備的高性能運行,英飛凌提供專用的1通道和2通道電隔離EiceDRIVER™柵極驅動電路。這個解決方案—結合了CoolSiC™開關和專用的門驅動電路——有助于降低系統成本,并提高能源效率。CoolSiC™ MOSFET還可以與英飛凌旗下EiceDRIVER™柵極控系統的其他集成電路無縫連接。(國家工業信息安全發展研究中心 李茜楠

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